Qaysi diodlar yuqori tezlikli kalit sifatida ishlatiladi?

So'nggi yillarda elektron texnologiyaning jadal rivojlanishi bilan yuqori tezlikli kalitlar kontaktlarning zanglashiga olib kirishi va nazorat qilish, shuningdek, ba'zi yuqori tezlikdagi signallarni konvertatsiya qilish va uzatish uchun ishlatiladigan juda muhim qurilmaga aylandi. Yuqori tezlikli kalitlarni ishlab chiqarishda diodlar juda muhim material bo'lib, juda muhim rol o'ynaydi. Xo'sh, yuqori tezlikda ishlaydigan kalit sifatida qaysi turdagi diod ishlatiladi? Quyida ushbu masala bo'yicha batafsil ma'lumot berilgan.

Birinchidan, diodlarning asosiy printsipi oqimni bir yo'nalishda o'tkazish ekanligini tushunish muhimdir. Shuning uchun, diodlarning oqim tashuvchi komponentlarida, oqimning bir yo'nalishliligi tufayli, daraja dioddan o'tganda ma'lum miqdorda energiya sarfi bo'ladi. Shuning uchun, amaliy dasturlarda biz diodani tezda almashtirish, javob berish va signallarni uzatishni ta'minlash uchun past kuchlanish pasayishi va yuqori konjugatsiya tezligi bilan diodani tanlashimiz kerak. Nazariy jihatdan, barcha PN ulanish diodlari yuqori tezlikda kommutatsiya uchun ishlatilishi mumkin, ammo aslida, silikon diodlarning nisbatan yagona xususiyatlari tufayli, galyum arsenid (GaAs) tranzistorlari yuqori tezlikda kommutatsiyada eng ko'p ishlatiladigan qurilmalardan biriga aylandi. joriy bozorda.

Gallium arsenid (GaAs) tranzistori yarimo'tkazgichli qurilma bo'lib, kremniy komponentlaridan farqli o'laroq, yuqori darajadagi muhandislar va dizaynerlar tomonidan yuqori tezlikda va yuqori aniqlikdagi ilovalarga, ayniqsa simsiz aloqa tizimlariga moslashish uchun ishlab chiqilgan. Ular orasida GaAs juda yuqori elektron harakatchanligi va chastotaga javob berish qobiliyatiga ega va odatda yuqori chastotali zanjirlarda va yuqori barqarorlik talablari bo'lgan ilovalarda qo'llaniladi, masalan, sun'iy yo'ldosh aloqasi, simsiz tarmoqlar, lazerlar va radar tizimlarida yuqori tezlikdagi ushbu qurilmaning ishlashi barcha tomonlarning yuqori talablariga yaxshiroq javob berishi mumkin.

Bundan tashqari, SiC (kremniy karbid), kremniy bipower va silikon karbid diodlari kabi kremniy asosidagi tranzistorlar yuqori elektr ko'rsatkichlari va tez almashtirish qobiliyatiga ega bo'lib, ularni yuqori tezlikda almashtirish uchun mos qiladi. Ular orasida silikon dublyajli diodlar ultra tez darajadagi javob, past kuchlanish pasayishi va yuqori oqimga chidamlilik xususiyatlariga ega va ko'pincha DC / DC va DC / AC kommutatsiya quvvat manbalarida qo'llaniladi. Silikon uglerodli tranzistorlar (SiC) va kremniy karbid diodlari (SiC) past teskari oqish oqimi va past sig'imli javob tufayli mukammal yuqori harorat ko'rsatkichlariga va yuqori teskari kuchlanishli yuk hajmiga ega. Ularning kommutatsiya tezligi ham nisbatan tezdir, bu ularni yuqori quvvatli kalitlar, avtonom transport vositalari, aerokosmik va yangi energiya kabi sohalarda keng qo'llash imkonini beradi.

Xulosa qilib aytadigan bo'lsak, yuqori tezlikda ishlaydigan kalitlardan foydalanishda GaAs tranzistorlari standart materiallar sifatida qat'iy sinov va tekshirishdan o'tgan va juda yuqori ishonchlilik, barqarorlik va chidamlilikka ega. Biroq, amaliy dasturlarda turli qurilmalar turli xil amaliy afzalliklarga ega bo'lishi mumkin. Har bir diodaning xususiyatlarini va talablarini tushunish turli xil dastur stsenariylarining ehtiyojlarini yaxshiroq qondirishi mumkin.

https://www.trrsemicon.com/diode/high-speed-diode-bas32l.html