Tolang optik aloqa uskunalari bo'yicha diodlardan qanday foydalanish kerak?

一, engil manbali haydovchi va engil signal chiqishi
1. Yarimo'tkazgichli lazer diodlarini (LDS) elektro-optik optik konversiyasi
Yarimo'tkazgichli lazerli diodlar (lds) elektr energiyasini in'ektsiya qilish orqali optik - ga qarshi chiqish va tola optik aloqaning asosiy manbai hisoblanadi. Uning ish printsipi rag'batlantirilgan nurlanishga asoslangan. Hozirgi vaqtdan oshganda, elektron va teshiklarni mos keladigan juft juftlik buyumlarni qayta oladi va izchil lazer chiqishini hosil qiladi. LD quyidagi texnik xususiyatlarga ega:
Tor spektral liniyasi keng: 1-} 1 midjik spektrning kengligi, tolali dispersiyani samarali bostirish, 10Gb / s dan yuqori tezlikdagi translyatsiyani qo'llab-quvvatlaydi.
Umumjitarish samaradorligi: To'g'ridan-to'g'ri bog'lanish yoki lenslar o'yiniga ko'ra, ld va tola o'rtasida faollik samaradorligi, optik hokimiyatni samarali in'ektsiya qilishni ta'minlaydi.
Qoplama xarakteristikasi: xiyobonning prokurativ oqim talab qilinadi va modulyatsiya stavkasini yaxshilaydi. Masalan, DFB lazerlari odatda 1550nmning to'lqin uzunligida 10-30 mlrd.
2. Lazer Diod tarkibiy qismlarining kompleks dizayni
Zamonaviy ld komponentlar Opto izolyatorlarini (PDS), termoelekturani (RTS) va termoelektrik sovutgichlarini (TECS) sozlash uchun (TECS) monitoring (TECS) monitoringini o'rnatadi:
Optik izolyator: LD LD bilan aralashish va shovqinni kamaytirishiga to'sqinlik qiladi.
Monitoring PD: LD Chiqish quvvatini real vaqt monitoringi, avtomatik quvvat nazorati bo'yicha fikr-mulohazalarni ishlab chiqarish barqarorligini ta'minlash uchun.
Tajaning harorati ustidan: Peltier ta'siri orqali LD-ning harorati ta'sirini qoplaydi (harorat: 20 darajadan 50 darajagacha).
2, optik signalni aniqlash va qabul qilish
1
Fotododlar fotoni teskari nopoklik qatlami orqali gemitrent juftliklarini yaratish va fotokrentni yaratish. Uning asosiy afzalliklari quyidagilardan iborat:
Past shovqin: Odatda qorong'i oqim qiymati<1nA, suitable for detecting weak light signals.
Keng spektral javob: Silikon - pinli diodlar 400 - 1100 metrli diapelani qamrab oladi, yaldia gayl arsenid (ingaas) dagi diodlar 1650nm gacha uzaytirilishi mumkin.
Yuqori tezlik bo'yicha javob: Junarne ishlab chiqarishi 1PF dan kam bo'lganda, o'tkazish qobiliyati GGZ darajasiga etib borishi va 40Gb / s dan ortiq qo'llab-quvvatlash tezligini qo'llab-quvvatlashi mumkin.
2. Avashnik photodiode (APD) ga erishish
APD yuqori elektr tarmog'idagi tashuvchi ko'chma ko'paytirish effekti orqali ichki joriy daromadga (m {{{{{=10-100) ga erishishga yordam beradi, qabul qiluvchi sezgirlikni sezilarli darajada yaxshilaydi:
Foydali ustunlik: 10 ^ - - - APD-ning (SNR) signalining (SNR) signaliga (SNR) PIN-diodlardan yuqori.
Shovqin savdosi - o'chirildi: ko'payish jarayoni ortiqcha shovqinni keltirib chiqaradi va m va shov-shuvning ko'payishi o'rtasidagi muvozanatni optimallashtirish kerak. Masalan, Ingaas APD-da 1550nm uzunlikdagi f =2-3 ning o =2-3 ning odatiy ortiqcha shovqinli omil bo'ladi.
3. Silikon fotododlarining sanoat dasturlari (SI PD)
S1223-01 Si PD misol sifatida, uning texnik parametrlari quyidagilardan iborat:
High sensitivity: quantum efficiency>90%, kam yorug'lik muhiti uchun javob beradi.
Keng dinamik diapazon: -40dBM dan 0dbmgacha optik quvvatni qoplaydigan chiziqli javob.
Barqarorlik: uzoq muddatli ishlash<0.5%/year, meeting industrial grade reliability requirements.
3, tizimni boshqarish va shovqinni bostirish
1. Voltajni boshqarishning diodlari
LD drayveri aylanmasida, joriy manbali barqarorlikni ta'minlash uchun voltaj regulyator diod (masalan, zmm3v3) hozirgi manbaning barqarorligini ta'minlash uchun aniq 3.3V mos yozuvlar mavjud:
Past oqish oqimi: teskari oqish oqimi<2 μ A @ 1V, reducing power consumption.
Yuqori aniqlik: Voltage Nizomning qiymati ± 1% dan kam, LD chiqish quvvatining izchilligini ta'minlash.
2. Vaqtinchalik bostirishni davolash (televizorlar)
Televizorlar (masalan, SMF10CA kabi) elektr tarmog'idan himoya qilish uchun quvvatni yutish va kuchlanishli sigirlarni himoya qilish uchun ishlatiladi:
Tez javob: Javob vaqti<1ns, clamp voltage<17V.
Yuqori quvvat bardoshliligi: cho'qqismirning kuchi 200wn / 1000 ms.
3. Sxifky diodlarini to'g'rilash va himoya qilish
LD tarafkashliklari, Sxotky Diods past oldinga yo'naltirilgan kuchlanish pasayishini ta'minlaydi (< 0.7V@5A )Characteristics of high-speed switch:
Kam etkazish: aylanma isitish va samaradorlikni oshirishni kamaytiradi.
Tushunchoqni tiklash vaqti:<10ns, suitable for high-frequency modulation.
https://www.trrsemicon.com/transsiontor/npn{2}}stranta2412-Factory.html