Qanday qilib durbid integratsiyalangan aloqa sektori sohasidagi Diodlarni qanday ajratish mumkin?

一, gibrid integratsiyada diabodiyon funktsional holatini shakllantirish
1. Signalni tuzatish va aniqlash: Raqamli analogdan ko'prik
RF Front - endofulyatsiya qilinganligi, dedodülünfulyatsiyalanmaganligi aniqlanmagan xususiyatlar orqali signalni o'lchashga erishadi. Masalan, 5G millimetr to'lqinli aloqa, Gan Nitrid (Gan) Diodlar, ularda kutimik signallar uchun amplitsiyali signalizatsiya qilingan signalizatsiya qilingan signalizatsiya qilingan signalizatsiya signalizatsiyasini samarali tuzatish bilan ta'minlaydi. 5G bazaviy stantsiyaning ma'lum bir modelidan keyin ARD-Diod Keympni qabul qiladi, RF oldidagi quvvat sarfi 30 foizga kamayadi va bu dinamik spektrni (DSS) almashinuvini sezilarli darajada yaxshilaydi.
2. Voltajning barqarorligi va himoyasi: tuman xavfsizligi chegaralari
Zener diodlar gibrid integral quvvatini boshqarishda hal qiluvchi rol o'ynaydi. DC - DC konversiya modulida, 6,2 dona cheklangan kuchlanish bilan birlashtirilgan Zerction Din, zaxiradagi cheklovlar bilan birlashtirilib, ortiqcha cheklovlarni himoya qilish pallasi bilan birlashtirilgan. Kirish kuchlanishlari to'satdan 8V ga ko'tarilganda, diod 10-± 0 ± 0 ± 0 oralig'ini barqarorlashtiradi va orqa bosqichini barqarorlashtiradi va orqa bosqichini barqarorlashtiradi (past shovqin kuchaytirgich) shikastlanadi.
3. Kommutatsiya va modulyatsiya: dinamik signal nazoratiga erishish
Sxotskiy diodlar tog 'maslari radarlarida tog' radarlar uchun keng qo'llaniladi.<10ns). A certain model of active phased array antenna uses SiC Schottky diode as the phase shifter switch, with an insertion loss of less than 0.2dB and an isolation of 40dB. It supports fast beam scanning (switching time<50ns), meeting the strict real-time requirements of airborne radar.
2, moddiy yangiliklar dizayndagi yutuqlarga olib keladi
1. WardleGGAP yarimo'tkazgich: baland - chastota bastasi
Silikon karberi (SIC) Diodlar yuqori - kuchlanish va yuqori - chastotali stsenariylarda afzalliklarini namoyish etadilar. Avtotransport aloqasi moduli an'anaviy kremniy diodidan 40% gacha bo'lgan vertikal tuzilish moduli vertikal tuzilmani qabul qiladi. Elektr transport vositalari uchun V2X muloqotida ushbu qurilma 100-quvvatni uzatishni qo'llab-quvvatlaydi va radiator hajmini 60% ga kamaytiradi va butun transport vositasining engil dizayniga yordam beradi.
2. Ikki o'lchovli materiallar: Teraxerts aloqa davrida UShBIRing
Grafen diodlar nol tasmalari uchun 6G teraxertz aloqalarini oldindan o'rganishda yutuqlarga erishdi. Muayyan laboratoriya tomonidan ishlab chiqilgan grafika 0,3-chi chastota diapazonida 1000 dan ortiq raqamli va femotecond darajasiga qisqartirilgan vaqt koeffitsientiga erishdi. Ushbu qurilma aeroport xavfsizlik uskunalari uchun "Aeroport xavfsizlik uskunalari uchun" Aeroport xavfsizlik uskunalari uchun birlashtirilishi mumkin, bu aniq millimetr to'lqin tizimlariga qaraganda 10 baravar yuqori.
3
Gan va CMOS jarayonlaridagi nomuvofiq korxona, ma'lum bir korxonada uch - uch - ni ishlab chiqdi: 0,15 m m GAN Dimo ​​D Dine-ni Micro Bump Lehering texnologiyasi orqali birlashtirish. Ushbu sxema Ku guruhiga (12 -} qudratli samaradorlik (PAA) ga erishadi). U past orbitali sun'iy yo'ldosh yuklari dizaynida qo'llanilgan.
3, dizayn metodologiyasidagi paradigma o'zgarishi
1. Elektromagnit issiqlik mexanik mulki konlarini birgalikda simulyatsiya qilish
Millim to'lqin moduli, Ansis HFS va ICPAKT qo'shma simulyatsiyasi platformasi. Issiqlikni buzish kanallarining optimallashtirish orqali, 0,5 mk M miqdoridagi issiqlik stavkalari natijasida 150 darajadan 120 darajagacha, 55 darajadan 125 darajagacha qurilmaning deformatsiyasini ta'minladi.
2. Parametrlar tomonidan ishlab chiqarilgan model kutubxonasi
ADA ishlab chiqaruvchisi yangi diodning 300 dan ortiq parametrlarini o'z ichiga olgan ziravorlar modeli kutubxonasini ishlab chiqdi. Ushbu kutubxonada S - parametrlar va shovqin raqamlari va noaniqliklar va xiyomning 175 darajalariga teng bo'lmagan shovqinlar va asosiy vositalar, reklamalar va kamodlar kabi ma'lumotlarni to'g'ridan-to'g'ri kirishni qo'llab-quvvatlaydi. 5G kichik baza stantsiyasini loyihalashda ushbu model kutubxonasini qo'llash 8 haftadan 3 haftagacha bo'lgan dizayn tsiklini qisqartirdi va bitta chip ishlab chiqarishning 90 foizini oshirdi.
3. Ishlab chiqarish (dfm) optimallashtirish uchun dizayn
Ishonchli korxona 01005 (0,4 mm × 0,2 mm) miqdoridagi mikrofon diod uchun DFM qoidalari kutubxonasi tashkil etildi:
Pad kosmikasi: 50 mk dan katta yoki teng
Po'lat mesh qalinligi: 0,08mm ± 0,01mm
O'lchashning eng yuqori harorati Lehimchilik: 245 daraja ± 5 daraja
Yasni chop etilish parametrlarini optimallashtirish orqali payvandlash stavkasi 15% dan 3% gacha, AES --- - - - -} - -} -} -} -} Q1tnika standartlari talablariga javob berdi.
4, Oddiy dastur stsenariysi tahlili
1. 5 CWIN STANTA - tugadi
Mashid malika bazaviy stantsiyasining ma'lum bir modeli 256 Gan Diods tarmog'iga kiritilgan gibrid integratsiya sxemasini qabul qiladi. Saralashni optimallashtirish orqali signal yo'lining uzunligi ± 50 mk m ichida boshqariladi va fazaning mustahkamlik xatosi 1 darajadan kam. U 64T64R antenna konfiguratsiyasini qo'llab-quvvatlaydi va 8,5GBPSning eng yuqori qiymatiga erishadi.
2. Sun'iy yo'ldoshli aloqa fazali massiv
Aniq orbitali orbitali yuklarning narxi 50 o'ringa ega bo'lgan t / r modullarini qurish uchun SIC diinditlaridan foydalanadi, bu an'anaviy GAAS sxemasidan uch baravar yuqori. Uch - o'lchovli vertikal tuzilishni loyihalash orqali RF signal uzatilishi 0,1db / sm gacha pasayadi, KA guruhida (26,5-40 GHS) 20 gbit / sm.
3. Avtotransport vositasi V2X Aloqa moduli
Ba'zi yangi energiya transport vositasi gibrid integratsiyalashgan dizayn, LED {0} {{0} {{0} - oxirgi funktsiyalarini birlashtirish dizayndagi dizaynni qabul qiladi. Ularning orasida 98% samaradorligi bilan DC - DC - DC - DC 12V dan 12v gacha qo'llab-quvvatlaydi; GAN quvvatining kuchaytirilishi C -}} standartidagi C {}}}}}} ning talablariga javob beradigan 5.9Gtz chastotali chastota diapazonining ishlab chiqarishga yordam beradi.
https://www.trrsemicon.com/transsiontor/npn{2}}stranctistoror yoki.html