Aloqa arizalarida - chastotali diodlarni qanday tanlash kerak?

一, yuqori - chastotali diodlar va aloqa stsenariylarining asosiy texnik ko'rsatkichlari o'rtasidagi xaritalash munosabatlari
1. Teskari tiklanish vaqti (trr): yuqori - chastota kalitlari
Yuqori {{0} chastota signallarini tezkor almashtirish Diodlarni nanosekundlarda o'tkazuvchanlik va kesish holatlari o'rtasidagi o'tishni talab qiladi. Masalan, 5G bazaviy stantsiyani (quvvatni kuchaytiruvchi) olib borish, 28gur chastotali diodda, har bir yoqilgan tsikl, har bir yoqilg'i 0,3% signalni buzadi, natijada EVM (Xatoning vektorining amplitsienti) standartdan oshadi. Ultra tez tiklanish diodini (UFRD) 10ns kabi past bo'lishi mumkin va buzilish tezligi bir xil chastota diapazonida 3GPPning 5GPP signalining 5GP uchun talablariga javob berishi mumkin.
Tanlov taklifi:
Millimetr to'lqinli aloqa (24gz): UFRD yoki SHOTTKY Diodini (SBD) 5ns dan kam yoki unga teng yoki unga teng ravishda (SBD) ustuvorlashtirish;
Sub-6gz chastotasi: TRR =20-50} TRR =20-50} bilan tez tiklanish diodidan foydalanish mumkin;
Avoid using ordinary diodes with Trr>100ns, agar - chastotadan (<1MHz) scenarios.
2
Diodning tashqi tarkibi va parazitning parazitsi invakratsiyasi signalning rezonanti yoki yuqori chastota oralig'ida urinishga olib kelishi mumkin bo'lgan LC rezonansini shakllantiradi. KA guruhini (26.5-44xz) bir misol sifatida qabul qilish, agar CJ =5 {26.5-40xit "ni aniqlash, agar CJ =5 pfni aniqlash, agar 30% chastota nuqtasini 3DBga etkazsa, uni 3DBga etkazishi mumkin, natijada olingan sezgirlikni 50% ga pasayishi mumkin. Sxotky Diods yordamida CJ bilan<0.5pF, the loss can be controlled within 0.5dB.
Tanlov taklifi:
RF front-end (>1gz): sbd yoki diodlarni CJ bilan tanlang<1pF;
Asosiy olamni qayta ishlash (<100MHz): Acceptable FRD of Cj=5-10pF;
Joriyilyatsiya ishlab chiqarishning o'zgaruvchanligini uchta - o'lchovli elektromagnit simulyatsiya (AHS kabi) orqali signal yaxlitligining ta'sirini tekshiring.
3
Batareya bilan ta'minlangan iot aloqasi modullari, diodlarning energiya sarfi 30 foizdan oshishi mumkin. NB iT modulining elektr tokalini misol sifatida olib, vf =0.7}} vf {}}}} bilan ishlatilsa, 10 lahzada quvvat iste'moli 7MW; VF =0.2 v bilan Schootky Diode-dan foydalanganda, quvvat sarfi batareyaning ishlash muddatini sezilarli darajada kengaytirishi mumkin.
Tanlov taklifi:
Past kuchlanish stsenariysi (<5V): prioritize SBD with Vf<0.4V;
High voltage scenario (>100V): VF =1-2} v; maqbul FRD / UFR;
VF va TR o'rtasidagi savdo {{0} savdosiga e'tibor bering: ULTRA - past VF Diods Professiyasini qurbon qilishi mumkin.
Aloqa quyi tizimlar uchun ajratilgan tanlov strategiyasi
1
RF Front - 5G baza stansiyalari, Sxotky Diodlar Ultra tez qaynatgich tezligi (trr) mikserlar, detektorlar va cheklovlar uchun afzal ko'rgan tanlovdir (trr)<3ns) and low junction capacitance (Cj<0.2pF). For example, Infineon's BAT62 series Schottky diodes can achieve a sensitivity of -15dBm and a dynamic range of 10dB in the 28GHz frequency band, meeting 3GPP's requirements for 5G NR receivers.
Odatda arizalar:
Mikser: Chastotani qayta ishlashiga erishish uchun SBDning noberik xususiyatlarini ishlatish;
Detektor: RF signallarining konvertlari to'g'risidagi ma'lumotlarni olish;
Cheklangan signal kuchaytirgichlarini (lNas) kuchli signalning kuchaytirilishini himoya qiladi.
2. Kialbelbelni qayta ishlash: "{- tez tiklanish diodlari"
Bavonbosali signalni qayta ishlash mikrosxemalarida, tez tiklanish diodlari (frd), ularning muvozanatli ishlashi va xarajatlari tufayli boshqa stsenariylar va boshqa stsenariylar va boshqa stsenariylar. Masalan, Wemizi Baytining BatV26E seriyali 100xzning kommutatsiya chastotasida 1ta oqim, sekuromning atigi 50nsning teskari vaqtini va sxectiv diodlarning uchinchi narxi.
Odatda arizalar
ADC tanlab olish va ushlab turish: Namuna olish xatolarini kamaytirish uchun FRDning tezkor almashinuv xususiyatlarini ishlatish;
Mantiqiy darajadagi konversiya: TTL va CMOS darajalar o'rtasidagi moslikni oshirish;
Quvvatni himoya qilish: teskari aloqasi yoki haddan tashqari oshirilib ketadigan tumanlarning shikastlanishining oldini olish.
3
Mikroto'lqinli va millimetr to'lqin stsenariylarida, masalan, radar va elektron urushlar, pinli diodlar fazali siljishlarning asosiy tarkibiy qismlariga aylanadi, matri apriksiyasining asosiy tarkibiy qismiga aylanadi, ular ta'sirchan kuchlanish orqali ta'sir ko'rsatadi. Masalan, Stmnicitroelektronika 'HSMP -}}}}}}}}}}}} The 0.1DBRning evaziga 0,10 dyuymda, yuqori samarali kalitlar uchun harbiy radarlarning talablariga javob beradigan 10,1 dollarga teng bo'lishi mumkin.
Odatda arizalar:
Bosqichma-bosqich radar: Pin Diodlar orqali tezkor skanerlash eriydi;
Sun'iy yo'ldosh aloqasi: Yuqori izolyatsiya almashtirish tugmachasini PIN-diodlar yordamida qurish;
Sinov vositasi: vektor tarmoq analizatorlari uchun kalibrlash komponenti sifatida.
3, ko'rinmas tuzoq va oldini olish strategiyalari
1. Parazitar parametrlar soni: "yuqori - chastotali afzallik
- pinryultsiyaning 41 ga teng (masalan, {{{}}}}} 41) 10nnga etib borishi mumkin, bu esa 1 kishilik chastota diapazonida 6,3 ō ōlatek beradi, natijada signal urinishiga olib keladi. SMD paketlarining parazitga yo'l qo'yilishi faqat 1nh - bu bitta chastota diapazonida 0,6 Ō gacha kamayadi, yuqori chastotali ko'rsatkichni sezilarli darajada yaxshilaydi.
Qo'rqinlash strategiyasi:
SMD qadoqlash ustida (masalan, SOD-123, SOT-23);
Paketli pin vilkadan ({0}} paketlarda (masalan, 41, to-220) ishlatmang;
PCBning rejasini optimallashtirish orqali parazitizmni kamaytirish (masalan, qo'rg'oshin uzunligi va yer osti burg'ulashi kabi).
2
Sxotky diodlaridagi teskari oqish oqimi harorat bilan eksponentga ega. Masalan, 85 darajali A {{}}}} m} =1}}} diod 25 darajaga ko'tarilishi mumkin. Junktsiyani koeffitsientning IR harorat koeffitsienti sxotsk diodlarining atigi 1/10 qismini tashkil qiladi.
Qo'rqinlash strategiyasi:
PN junction diodes are preferred for high temperature scenarios (>85 daraja);
Agar sxotskiy diodlardan foydalanish kerak bo'lsa, ulanishni isitish dizayni bilan kamaytirish kerak;
Past IR modellarini tanlang (infinsonning Bat62 seriyasi, IR<0.1 μ A @ 25 ℃).
3. Ta'minot zanjiri xavfi: mahalliylashtirishning "Muqobil imkoniyat"
Geosiyosiy omillar tufayli ba'zi import qilingan yuqori - chastotali diodlar (masalan, MBT ning MBR seriyali) chempionati bilan uzilish xavfiga duch kelmoqdalar. Suzhou Gude va Changijiy Texnologiyalar kabi mahalliy ishlab chiqaruvchilar Sxotky Diod va Frd kabi mahsulotlarning mustaqil boshqaruviga erishdilar. Masalan, Suzhou Gude SS14 Schotic Diod import qilinadigan modellarni ishlash nuqtai nazaridan to'liq almashtirishi mumkin va etkazib berish tsikli 4 haftagacha qisqartiriladi.
Qo'rqinlash strategiyasi:
Mahalliy qurilmalarning o'rnini bosuvchilarning ro'yxatini tuzish va taqqoslash testlarini o'tkazish;
Ta'minot zanjiri xavfsizligini ta'minlash uchun mahalliy ishlab chiqaruvchilar bilan strategik hamkorlikni tashkil etish;
Sanoat tendentsiyalariga e'tibor bering va tanlov strategiyasini o'z vaqtida sozlang.
4, Kelgusent yo'nalishlari: "Yuqori - chastotali diodlar"
1. Moddiy yangilik: "Silikon Carbide" (SIC) diodlaridagi "yuqori chastotali yutuq
Yuqori elektron mobility (1000CM ² / V / V / VS) va SIC materialining keng tasmalari (3.3S) xususiyatlari uni yuqori -} chastotali diod uchun ideal materialga aylantiradi. Masalan, Rohm-ning SCT2080KE seriyali Sik Schifky Diod 1 mz tezlik tezligi 10a oqimiga bardosh berishi mumkin, uni qayta tiklashni to'xtatib turish va 5G baza stansiyalarida quvvatni tejash dizayni bilan mos keladi.
2
Miniaturizatsiya va integratsiya, diodlar va mematlarni (mikro elektrotexnika tizimlarining integratsiyasi sari rivojlanib borayotganligi bilan aloqa tizimlarini rivojlantirish bilan yangi tendentsiyaga aylandi. Masalan, Adia - C090 SASTY SERICE PIN-kodlar bo'yicha 1GGz chastotasi 360 daraja bosqichida 360 daraja fazasi nazorati bilan an'anaviy echimlarning atigi 1/5 qismini tashkil qilishi mumkin.
3
Kelgusida yuqori - Chastota diodlari harorat va kuchlanish sensorlarini o'z-o'zidan - monitoring va moslashuvchan tuzatish uchun erishish uchun harorat va kuchlanish sensorlarini birlashtirishi mumkin. Masalan, infinkon - sensorlarda joylashgan - datinglardagi vaqt oralig'ini kuzatib, uning ishonchliligini sezilarli darajada yaxshilab yaxshilash orqali ish faoliyatini optimallashtirishni optimallashtirishni optimallashtiradi.