Elektr yorliqlari paytida diodlar mahalliy oksidlanishni qanday chiqaradi?

一, Diodning jismoniy mexanizmi aybdor izolyatsiya
Diada portodining PN-ning tarkibi tabiiy ravishda blokirovka qobiliyatiga ega bo'ladi. Quvvat panjaraida qisqa tutqich yoriqlari paydo bo'lganda, tegish nuqtai nazaridan kuchlanish keskin bo'lmagan elektr konini shakllantiradi. Bu vaqtda diod keskinlik holatiga kiradi va teskari qarshilik megaoon darajasiga etib borishi mumkin. Fotoeltaik panelini misol qilib, Photovoltaik modulning ikkala uchiga nisbatan qutbli kuchlanishni (masalan, SB560) potovoltagi bilan bog'langanda, 0,1 mekga teng ravishda 0,1 mln. an'anaviy reza sxemalari.

Aloqa tizimlarida diodlarning izolyatsiya xususiyatlari yoriq turi bilan chambarchas bog'liq. BIRINChI - fazi eritmasi yoriqlari yuzaga keladi, fazali bo'lmagan kuchlanish elektr kuchlanish darajasiga ko'tariladi. Bu vaqtda tez tiklanish diod (FR307 kabi tezkor tiklash vaqti, almashtirish vaqti 100ng). Germaniyada tennetning ± 500 kV elektr uzatish loyihasi ma'lumotlariga ko'ra, ushbu sxemani qabul qilganidan so'ng, hosilning o'zgarishi doirasi ± 15% dan ± 3% gacha, tizimning samaradorligi 1,2 foiz darajaga oshdi.

2, odatiy xato stsenariylarining izolyatsiyasi
1. DC tarqatish tizimini buzish
Dialda DC tarqatish tizimida, doimiy ikki qutbli pallada, displeyning dastlabki oqimida diodning teskari qisqartirish xarakteri tufayli 1 mlrd. Tianjin universitetida Li binning Ittifoqi jamoasi tomonidan o'tkazilgan tadqiqotlar shuni ko'rsatadiki, ushbu sxema an'anaviy sxemalarga nisbatan 60 foizga ta'sir ko'rsatadi va elektr tarmog'idagi kuchlanish vaqtini 20 mln.

Muayyan ijobiy ijroida har bir DC avtobusi segmenti diodga qarshi diodga qarshi diod moduli bilan jihozlangan. Agar yoriqlar ostonasi ostondan oshganda, tez kommutatsiya qurilmasi 100 msh ichida yoriq yo'lni kesib tashlaydi va diod avtomatik ravishda izolyatsiya to'sig'ini hosil qiladi. Ushbu texnologiyani qabul qilgandan so'ng, Huawei Sun2000-125 kttl inverteri qisman qo'zg'almas stsenariylarda 98,8% evropalik samaradorligi bilan 9,3 foizga o'sdi.

2. Ko'p qirrali konvertorni himoya qilish
MMKning suv osti, diodlar va Igbts Beririylikan blokirovka tuzilishining tuzilishini shakllantiradi. Yukutishmoning kuchlanishiga olib keladigan o'zgaruvchanlik 10% dan oshganda, kremniy karbidi diodini (C3D06060a kabi) ulangan seriyalar 1,3v@0a) ishlab chiqarishni oldini olish mumkin. Ushbu sxemani qabul qilgandan so'ng, sikam ais panjara stabilizatorini almashtirish yo'qotishlarni 40% ga kamaytirdi va 10mdan 300 gacha tizimga javob berish vaqtini qisqartirdi.

Mashg'ulotda diodlarni teskari tiklanish xususiyatlarini ko'rib chiqish kerak. Tez tiklanish diodlaridan foydalanish (masalan, FR307 kabi) IGBTni almashtirish yo'qotishlarini oddiy rektriferlarga nisbatan 35% ga kamaytirishi mumkin. ABBning kuchli izolyatsiya diidikasi DUNYUT harorati, ogohlantirish potentsiallari 0,5 metrga nisbatan 0,5 mln.

3. Tarqalgan energiya manbalarining ortiqcha dizayni
Stolim fotoeltaik invertorlar, bir nechta MPPT kanallari diodlar yoki darvozali kanallar orqali energiya tejashga erishadi. Soya ichak tutilishi tufayli ma'lum bir kanalning chiqish kuchi pasayganda, Schifky Diod (MRB2045CT kabi 0,32v) avtomatik ravishda Sog'lom kanalga o'tadi. Sinovlar shuni ko'rsatadiki, ushbu sxema fotovoltaik massivlarning elektr energiyasini 8% -12% ga oshirishi, ayniqsa, qisman to'siqlar muhim ahamiyat kasb etadigan stsenariylarda ko'payishi mumkin.

Tesla megapackni saqlash tizimi integratsiyalashgan izolyatsiya sxemasini qabul qiladi va Mosfet (masalan, LM5050 kabi) ga asoslangan ideal diodni boshqarish moslamasi nol teskari vaqtni tashkil etadi. Ushbu sxema Batareya klasterlari o'rtasida 2,5 marotaba izolyatsiya qilinishini kamaytiradi, tizimning aylanishi samaradorligini 0,2 foiz darajaga oshiradi va an'anaviy diodlar bilan solishtirganda 0,05v kuchlanishning 90 foizi miqdorida ishlab chiqarishni o'tkazishni kamaytiradi.

3, muhandislik optimallashtirish va ishlashni yaxshilash strategiyalari
1. Kam yo'qotish komponentlarini tanlash
An'anaviy kremniy diodlarni bartaraf etish yuqori - chastota ilovalarida shishadi. Silikon karbididan foydalanish sxebide sxemasida foydalanish kondustruktiv yo'qotishlarini 60% ga kamaytirishi mumkin. Fotoeltiik inverterda, bu sxema diodda 120 o'rinni 48-dan 48-ga etkazadi va tizimning samaradorligini 0,05 foiz darajaga oshiradi. EPC2054 Gan Diode Epc kompaniyasi tomonidan boshlanadigan "APC" kompaniyasi tomonidan soat 10a oqimida atigi 0,2v.

2. Boshqaruvni boshqarish optimallashtirish
Yuqori - quvvat dasturlarida, dio tarmoq haroratini boshqarish juda muhimdir. Issiqlik o'tkazuvchan silikon moyi (issiqlik qarshiligi 0,5 daraja / V) bo'lgan kompozitsion isitish sxemasi (issiqlik qarshiligi 1 daraja / Vt) 100a oqimining 85 darajadan, qurilma hayotini uch baravardan ko'proq vaqtgacha kamaytirishi mumkin. Huawei invertorlari diodning kesishgan haroratini 105 darajaga o'zgartirish va quvvat zichligini 1,2 kg / kg gacha oshirish uchun suyuq sovutish texnologiyasidan foydalanadilar.

3. Elektromagnit moslashuv dizayni
Di / DT Shovbasi diod kalitlari tomonidan RC Bufer tumanida bostirib kirishi kerak. 10 kw akkorkerida 0,1 mk f plyonkali plyonkalari va 10v 5vlgacha bo'lgan kuchlanishni 4-5 61000 {{{} {{{}} ► 5V ōlate kuchlanishni kamaytirishi mumkin. Siemens Sirius seriyali Aqlli izolyatsiya diodini o'rnatgan RC tarmog'idan 20DB-ni 20DB-ni bostiradi.

4, chegara texnologiyalari tendentsiyalari
1. WardleGAP yarimo'tkazgich dasturlari
Gallium nitride diodes, with their ultra-low on resistance (0.1m Ω· cm ²) and high-frequency characteristics (fT>1gz), asta-sekin kremniy qurilmalarini - yuqori - yuqori maydonlarda 5G bazaviy stantsiya quvvatini va aerokosmik quvvat manbalari bilan almashtiradi. EPC2054 Gan Diode Epc kompaniyasi tomonidan boshlanadigan "APC" kompaniyasi tomonidan soat 10a oqimida atigi 0,2v.

2. Aqlli izolyatsiya texnologiyasini birlashtirish
Aqlli denod modullari raqamli boshqaruv texnologiyasi bilan birgalikda dinamik kuchlanishning doktori kompensatsiyasi va nosozlikni bashorat qilishiga erishishi mumkin. ABB kompaniyasi tomonidan {- - dazmoliya haroratini, shuningdek, potentsial kamchiliklar bilan 0,5 metrlik nosozliklarni kuzatib boradigan intellektual izolyatsiya diindlari 0,5 metrlik nosozliklar bilan 2000 yildan boshlab 0,5 metrlik nosozliklar paydo bo'ladi.

5, sanoat amaliyotlari
1. Germaniyada Tennet DC elektr uzatish loyihasi
"Silikat" Karbid diod modullaridan foydalangan holda "MMC" elektr uzatish dasturi "MMC" elektr tarmoqlari modullaridan foydalanib, tizimning o'zgaruvchan modullaridan 1,2 foiz darajaga ko'tarilishini kamaytiradi. Ushbu loyihaning yillik uzatish qobiliyati 12 milliard kilovatt soatga etadi, bu esa standart ko'mir iste'molini 3,6 million tonnaga kamaytirishga to'g'ri keladi.

2. Tesla megapack Energy Sultulyate tizimi
Gan Diods-ga asoslangan batareya klasterli izolyatsiya sxemasi tizimning aylanish samaradorligini 0,2 foiz darajaga oshiradi, bu esa 0,05V ga nisbatan 90% ga pasayishni kamaytirganda. Tizim dunyo miqyosida 10 G soatdan ko'proq vaqtga o'rnatildi, qayta tiklanadigan energiya iste'molini qo'llab-quvvatlaydi.