Aloqa arizalarida dioodlarning teskari tiklanish vaqti qanchalik muhim?

1, teskari tiklanish vaqtining jismoniy mohiyati va muvaffaqiyatsizlik mexanizmi
Jismoniy zaryadlash ta'siri
Diod transmükment holatidan so'ng, Teskoff holatidan so'ng, Teskoff holatini o'zgartirish holatlari, minoraning har ikki tomonida saqlanadigan ozchiliklar tashuvchilar (teshiklar va elektronlar) qayta ishlash yoki siljish orqali saqlanadi. - in kritikiy ayyor diodlarni misol qilib olish, oldinga yo'nalishda olib borilganda, P mintaqasida saqlanadigan tebranish zichligi 10 ° / sm ³ ga yetishi mumkin. Ushbu tashuvchilar saqlash vaqtini (T dan) o'tishi, vaqtni (T ↑) va uyg'onish vaqtini (T I) to'liq yo'qolishi kerak. Haqiqiy sinov ma'lumotlari shuni ko'rsatadiki, "Oddiy" Oddiy Junder Doid Dounding muddati 10a "ning oldinga siljishi vaqtini 10a-ning oldinga siljish vaqtiga erishishi mumkin, natijada kommutatsiya jarayonida 1,5v.
Ishlatmaslik rejimlari - chastota stsenariylari
Aloqa stsenariylarida 100mgz dan yuqori tezlikni tiklash vaqti bir nechta muvaffaqiyatsizliklarga olib keladi:
Fikrlarni yo'qotishlar bo'yicha: teskari tiklanish paytida energiya yo'qotish trr bilan mutanosibdir. Gan Emt drayverini misol sifatida olib borish, har 10Sning har 10-sonining o'sishi uchun kommutatsiya yo'qotish 15 foizga oshadi.
Elektromagnit shovqinning yomonlashishi (EMI): tez o'zgaruvchan di / dt (joriy o'zgarishi tezligi) yuqori - chastota shov-shuvini keltirib chiqaradi. Haqiqiy sinov shuni ko'rsatadiki, =100 =100 EMI spektri, CIF 32 standart limiti yoqilganda 100 mb-1gs oralig'ida 12db.
Issiqlikdagi o'zgarishlar to'planishi: teskari tiklanish jarayonida quvvat yo'qotish issiqlik energiyasiga aylantiriladi, natijada aloqa haroratining ko'payishiga olib keladi. TR =150 ns bilan muayyan aloqa modulining harorati 1 soat davomida uzluksiz operatsiyadan so'ng =50}}} qurilmasidan 25 daraja.
2, teskari tiklanish vaqtining aloqa faoliyatiga ta'siri
Quvvatni konvertatsiya qilish samaradorligi bo'yicha cheklovlar
DC - DC konvertorlari, teskari tiklanish vaqti to'g'ridan-to'g'ri samaradorlikka bevosita ta'sir qiladi. Kirish kuchlanishi 48V bo'lsa va chiqish oqimi 10a bo'lsa, 10a:
=50} ns bilan Schootky Diodning samaradorligi 95% ga yetishi mumkin
=200}} bilan muntazam diodning samaradorligi atigi 88%
Signal yaxlitligining qiyinchiliklari
Yuqori - tezkor raqamli aloqa, teskari tiklanish vaqtidan kelib chiqadigan kuchlanish va qo'ng'iroq qilish teskari tiklanish vaqtini kuchaytirishi ko'zning sifatini yomonlashtirishi mumkin. PCEIE 5.0 interfeysini qabul qilish, masalan =80}}}} dio dioddan foydalanganda, ko'zni yopish 30 foizga kamayadi va 10 ² dan 10 ² gacha 10 dan oshadi. Simulyatsiya ma'lumotlari shuni ko'rsatadiki, rekramning har 10-sonining oshishi uchun signalning ko'tarilishi 50.00 ga qadar uzaytiriladi.
Tizimning ishonchliligi xavfi
Uzoq muddatli - Haroratning harorati diodlarning qarishini tezlashtiradi. Sun'iy yo'ldoshli aloqa uskunalari testi shuni ko'rsatdiki, TRR =120} 1 Atrof muhit haroratida 1/5 qismining 1/5 qismidan 1/5 qismini 1/5 qismiga to'g'ri keladi. Muvaffaqiyatsizlik tahlili shuni ko'rsatadiki, metalllashtirish qatlami va obodonli simlarni ajratish boshlang'ich rejimining asosiy rejimlari.
3, teskari tiklanish uchun optimallashtirish strategiyasi
Materiallar va qurilmalarda yangilik
Wide bandgap semiconductor: The TRR of SiC Schottky diode can be as low as 10ns, and the reverse leakage current is only 0.1 μ A at 200℃. Cree kompaniyasining 1200V SIC SCD Si qurilmalariga soat 10a oqimida si qurilmalariga nisbatan 70% ni kamaytiradi.
Oltin doping texnologiyasi: "Oltinni" kompozit markazi sifatida tanishtirish orqali tashuvchisining bir umri 10ns dan 10 gacha qisqartirilishi mumkin. Infinkonning tezkor tiklanish displusi ushbu texnologiyani 35-sonli trrga olib boradi.
PIN-kodni optimallashtirish: mintaqaning kengligini kamaytirish men zaryadni saqlash hajmini pasaytiraman. Rohmning Ultra tez tiklanish displeyi 0,5 my mi - dan 25ns gacha kamayadi.
Elektr dizayni optimallashtirish
Yumshoq kommutatsiya texnologiyasi: Nol kuchlanishli kommutatsiya (ZVS) teskari tiklanish paytida kuchlanishning ta'sirini yo'q qilishi mumkin. Haqiqiy sinov shuni ko'rsatadiki, Zvs texnologiyasi diodning trodchasini 60% ga kamaytiradi.
Sinxron tuzatish: Mosfetlar bilan diodlarni almashtirish trrni to'liq yo'q qilishi mumkin. Ti-ning LM5164 sinxron tuzatish kontrizatori 1 mz tezlikda ishlaydigan 96% samaradorlikka erishadi.
Parazitli parametrli bostirish: 3D qadoqlash texnologiyasidan foydalanish, qo'rg'oshin inshooti 5nh dan 1n gacha, di / Dt dan 250a / NS gacha, qisqartirish va qisqartirish.
Tizim darajasi issiqlik boshqarmasi
Mikrochian suyuqlik sovutish: Huawei baza stansiyalari Diacon - Suyuqlikdagi suyuqlik Suyuqlikdagi suyuqlik sovutish plitalari 150 darajadan 110 darajagacha, trr 20% ga qisqaradi.
Fazani o'zgartiradi Issiqlik tarqalishi: ZTE Corporation tomonidan ishlab chiqilgan kofir asosidagi o'zgarishlar materiallari 120 darajadan iborat 100 darajadan iborat issiqlikni yutishi mumkin.
https://www.trrsemicon.com/transtistor_smd{2}}gherAglecroid {\\2}tcc817-25