Amalga oshirilgan kuchlanish elektr energiyasini etkazib berishga jiddiy ta'sir ko'rsatadimi?

一, hujumchi kuchlanishning jismoniy mohiyati va aloqa stsenariylarining o'ziga xosligi
Diodning hujumchisi der ulash joyida - o'rnatilgan - o'rnatilgan sug'orish jarayoni tufayli. Oldinga qarshi kuchlanish kuchlanish chegarasidan oshganda (0,6-0,8V ga yaqin, taxminan 0,2-0,8V ga yaqin) qarshilik ta'siri tufayli qaytarib bo'lmaydigan kuchlanish tomirlari paydo bo'ladi. Ushbu xarakterli aloqa energiyasini etkazib berishda ikki tomonlama qarama-qarshilik ko'rsatadi:
Kam voltaj stsenariylariga sezgirlik: zamonaviy aloqa moslamalari, odatda 3.3V, 1,8V yoki undan pastroq bo'lgan kuchlarni qo'llash. 0,7v 39% miqdorida kremniy diodlarning kuchlanish pasayishi 39% -} -} -} 39%, to'g'ridan-to'g'ri kuchni konvertsiyaning samaradorligini pasaytirishga olib keladi. Masalan, 48V Aloqa elektr energiyasining konversiya modulida, agar an'anaviy kremniy rektifikatsiya qilinsa, faqat ikkinchi darajali rektifikatsiya qilish havolasi 1,4vnni yo'qotishi, ularning umumiy samaradorligini qariyb 3 foiz punktiga kamaytirishi mumkin.
Yuqori - chastota gilamlarining yaxlitligi: Diod kuchining pasayishi natijasida xastalikka nisbatan chastota ilovasi tashuvchilarning agregat signallarining bosqichma-bosqich buzilishini buzishi mumkin. Eksperimental ma'lumot shuni ko'rsatadiki, oldinga siljish qiymati 20% dan oshganda, kremniy diodining kuchlanish pasayishi 0,15V dan yuqori o'zgarishi mumkin, bu esa 4DB dan oshib ketishi mumkin.
2, Aloqa elektr ta'minoti tizimiga yo'naltirilgan kuchlanishning tomirlarining ko'p qirrali ta'siri
1. Samaradorlik yo'qotilishini miqdoriy tahlil qilish
48V / 12V aloqa modulini misol sifatida olib borish {@ @ @ @ @ @ @ @ 1a) {3 @ @ 1a) {3 @ 1a) dan foydalanish uchun {@ @ @ 1a) @ @ 1a. Aksincha {@ @ @ @ 1a uchun Schotisty Diod (VF) ishlatilsa, yo'qotish 3wga tushirilishi va samaradorlikni 2,2 foiz darajaga oshirishi mumkin. Har yili million kilovatt soatlik elektr energiyasidan oshadigan ma'lumotlar markazlari uchun bu obodonlashtirish har yili elektr energiyasini elektr byulletenlarida yuzlab minglab yuanni qutqarishi mumkin.
2. Signal yaxlitligining tanqidiy ta'siri
PD (fotodetektor) ning tolali aloqada bo'lgan nuqtada, diod kuchlanishining harorat oqishi nuqsonli muammolarga olib kelishi mumkin. Silikon diodlarning kuchlanish pasayishi haroratning harorati bilan -2,2mv / darajasida pasayadi. Sanoat harorati doirasida +85}} darajalarida +85} {kuchlanish pasayishi 0,28v. Agar harorat qoplash dizayni ishlatilmasa, u PD tarafkash kuchlanishni optimal ish nuqtasidan chetga surib qo'yadi, natijada bir necha kilometrni qisqartirish va to'g'ridan-to'g'ri uzatish masofasini qisqartirishga olib keladi.
3. Uzoq muddatli ishonchlilik xatarlari
Ijobiy kuchlanishning ijobiy pasayishi tufayli mahalliy qizg'inlik aloqa qilishning asosiy sabablaridan biridir. Sinovlar shuni ko'rsatdiki, 10a oqimi ostida kremniy diodlarining ulanish harorati 125 darajaga etadi (40 daraja harorat), ularning maksimal darajadagi ramzi haroratidan oshib ketadi. Uzoq muddatli - Uzoq muddatli haroratli operatsiyalar metall migratsiya va elektrolizmni tezlashtiradi, bu diodning oqishi oqimining o'n baravar ko'payib borishi va oxir-oqibat qisqa {} nosozliklar. Muayyan operatorning statistik ma'lumotlariga ko'ra, noto'g'ri diod noto'g'ri tanlov natijasida kelib chiqadigan elektr modullarining ta'mirlanishi 18% ga teng, shundan 70% kuchlanish bilan bevosita bog'liqlik bilan bevosita bog'liq.
3, optimallashtirish strategiyalari va aloqa elektr ta'minoti tizimining amaliy holatlari
1. Materiallar va asboblarni innovatsion tanlash
Schottky diode: With an ultra-low voltage drop of 0.15-0.45V, it has become the preferred choice for low-voltage communication power supplies. Masalan, LTE bazaviy stantsiya elektr ta'minoti, MBR2045CT Schoady (VF) {@ @ @ @ @ @ @ @ @ @ 2a) dan foydalaniladi.
Sinxron tuzatish texnologiyasi: mxo'rlar bilan an'anaviy diodlarni mikroavtobuslik diodlarni myō ga chidamlilikka erishish uchun almashtirish. 5G Micro bazaviy stantsiya stantsiyasining ma'lum bir turi LTC4359 tomonidan boshqariladigan sinxron rekvizitsiyani qabul qiladi, u 3A oqimida atigi 56MV kuchlanish va samaradorligi 96% dan yuqori.
SiC/GaN wide bandgap devices: SiC Schottky diodes (Vf) in high-voltage and high-power scenarios= 1.2V@10A )It exhibits a 50% lower voltage drop and 3 times higher switching frequency than silicon devices, and has been applied in high-end fields such as submarine cable repeater quvvatlantirish manbai.
2. Milliy dizayn uchun juda yaxshi kompensatsiya
Haroratni kompensatsiya tarmog'i termistor va kuchlanishli bo'linuvchi divider kombinatsiyasi orqali joriy rangsiz rol o'ynaydi. Otn qurilmasining ma'lum bir turi bo'yicha ushbu texnologiya butun harorat oralig'ida 0,05v dan kamgacha bo'lgan PD tarafkash kuchlanishning tebranishini kamaytiradi va sezgirlikni 0,3 dollarga oshiradi.
Ko'p bosqichli kuchlanishni muvozanatlash texnologiyasi: yuqori - kuchlanishli tsikllar, kaskakli tsikllar, har bir dioddagi kuchlanishli maskan va har bir dioddagi kuchlanishli massivlar 5% ichida qo'llaniladi. Ushbu sxemani qabul qilgandan so'ng, 400V aloqa energiyasining ayrim turining hozirgi nomuvofiqligi 15% dan 3% gacha kamaydi va retestan uch baravarga oshdi.
3. Tizim arxitekturasida innovatsion yutuqlar
Diae Kuchli elektr ta'minoti arxitekturasi: Superkapritor va Beririktsiya DC - - - - - -} DC konvertorlari doklik kuchlanishini butunlay yo'q qilish uchun qabul qilinadi. Haqiqiy sinov shuni ko'rsatadiki, ushbu arxitekturaning energiyasini 48,5% ga etadi, bu esa an'anaviy echimdan yuqori ko'rsatkichga ega.
Aqlli kuchlanishni boshqarish tomchilarini boshqarish chipi: TPS2419 sinxronlashtirish funktsiyalarini birlashtirgan va elektrik tuzatish funktsiyalarini birlashtirgan va eshigi kuchlanishini birlashtirgan, shuning uchun gatriy kuchlanishni moslashtirishi mumkin. AI server elektr ta'minotining ma'lum bir turida ushbu texnologiya engil yukni 8% va yukni to'liq samaradorlikni 2% ga oshiradi.